陈星弼:无论走到哪里我都是浦江人

2019-09-09 15:22 来源: 作者: 张庆平

  他虽然不会说家乡话,但到任何地方,都说自己是浦江人;他常年在外,却时时牵挂着家乡。他就是浦江籍的中国科学院院士,成都电子科技大学教授、博士生导师、我国著名的半导体器件及微电子学专家陈星弼。  浦江籍的中科院院士

  陈星弼,1931年1月28日出生于上海,祖籍白马镇清塘村。1952年,他毕业于同济大学,后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年,开始在成都电讯工程学院(现成都电子科技大学)工作。1980年,任美国俄亥俄州大学访问学者。1981年,任加州大学伯克莱分校访问学者、研究工程师。1983年,任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。1999年,当选为中国科学院院士。他还是中国电子学会会员、美国IEEE高级终身会员、中国国家自然科学基金评审员等。

  他著书7本,发表学术论文110多篇,申请中国发明专利20项(已授权17项),申请美国发明专利19项(已授权16项,另有两项已通知准备授权),申请国际发明专利1项。获国家发明奖及科技进步奖2项,省部级奖励13项,完成国家自然科学基金重点项目、军事研究项目、国家“八五”科技攻关项目多项。

  他热爱祖国、忠诚党的教育事业与科学事业。学识渊博、治学严谨、工作刻苦,有坚实的基础理论,能及时抓住新方向,很快深入,既能发现问题,又能解决问题。

  颠沛流离求学路

  陈星弼3岁时,眼见哥哥姐姐上学,吵嚷着要读书,居然获得特许,进了小学。此后,父母年年劝其留级,他却能坚持着学下去。6岁那年,日寇侵华烽火蔓延上海,他随父母先迁至余姚,后又回到浦江老家,最后辗转重庆。不久,又举家迁到合川。8岁开始,他就离家在乡下小学住宿。小学毕业时,成绩名列前茅。

  童年漂泊不定的生活,养成陈星弼吃苦耐劳和独立生活的能力,也深受抗日救国的思想教育。抗战时,生活极为艰苦,他也曾想停学,早点谋出路,但父亲坚持让他继续读书,学好科学技术,为国家做实事。

  1947年,陈星弼考取同济大学电机系,并获得奖学金。他的学习从来不拘一格。人在电机系,却去旁听物理系及机械系的课,而工程力学及画法几何又学得比电机系的主要课程还好。他学过小提琴,而且能背出许多古典交响乐的曲谱。

  半生情系半导体

  1952年大学毕业后,他被分配到厦门大学电机系当助教。第二年,转到南京工学院无线电系。1956年,党中央号召向科学进军,他被指定到新成立的成都电讯工程学院去工作,同时也给了他到中国科学院应用物理研究所进修半导体的机会。在进修的两年半时间内,他一边工作,一边自学从物理系四大力学到半导体有关的专业课,写出当时才出现的漂移晶体管中关于存储时间的论文,在国际上最早作了系统的理论分析。

  1959年,年轻有为、学术上崭露头角的陈星弼回到成都电讯工程学院,创建该校的微电子科学与工程学、微电子研究所,并担任系主任与所长之职,而且还是学校半导体器件与微电子学等多项学科的博士生导师、学科带头人。

  1970年,在国家电视攻关中,他被派往工厂,支援研制氧化铅摄像管。当得知国外已研制硅靶摄像管后,他又建议研制这种新摄像管,并获批准。

  在陈星弼的带领下,从20世纪80年代初期开始,成都电子科技大学就坚持现代电力电子器件及功率集成电路的研究方向,促进国家电力电子的发展,形成重要的研究领域。在该领域里,陈星弼发表了迄今为止唯一的垂直型及横向型功率MOST的优化理论与设计公式,以及导通电阻与耐压的极限关系。

  1999年5月10日至14日,功率半导体领域最顶级的学术年会——第二十七届国际功率半导体器件与集成电路年会(IEEE ISPSD 2015)在中国香港举行。陈星弼因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献,获得大会颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”(ISPSD 2015 Pioneer Award),成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。

  陈星弼还负责过“八五”国家科技攻关重点项目、国家自然科学基金重点项目、国防科工委及各种省部级项目近20项,其中,2项获美国发明专利,3项获中国发明专利奖,2项获国家发明奖及科技进步奖,13项获国家教委及省部级奖。

  “有人把由半导体微电子技术引起的变化称为第一次电子革命,它导致信息时代的到来。现在这项技术还在飞速发展。”说到自己的专业,陈星弼津津乐道。

  陈星弼对老家的印象,只保留在6岁举家逃难时的短暂记忆里。由于时过境迁,他只记得在郑家坞火车站过了一夜的情景:“晚上特别暗,卫生间的马桶没有盖……”听说现在家乡大变样了,山清水秀环境美,他表示有机会一定要多回家看看。